在了解5V单片机驱动（dòng）mos管电（diàn）路之前，先（xiān）了（le）解一（yī）下单片机驱动mos管电路图及原理，单片机驱动mos管（guǎn）电路主要根据MOS管要驱（qū）动什（shí）么东西，要只是一个继电器（qì）之类的小负载（zǎi）的（de）话直接用51的引脚驱动就（jiù）可以（yǐ），要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲（chōng），最（zuì）好（hǎo）用N沟道（dào）的MOS。

如（rú）果（guǒ）驱动的东西(功率)很大，(大电流、大电压（yā）的场（chǎng）合（hé）)，最好要做电气隔离、过流超压保护、温度（dù）保护等……此（cǐ）时（shí）既要隔离传送控制信号(例如PWM信（xìn）号)，也要给驱动级（jí）(MOS管的推动电路（lù）)传（chuán）送电能。常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等至于电能的传送（sòng）可（kě）以用DC-DC模（mó）块。如果是（shì）做（zuò）产品的话建（jiàn）议自（zì）己搞一（yī）个建议的DC-DC，这样可（kě）以降低成本。然后（hòu）MOS管有一种简单的驱动方式:2SC1815+2SA1015，NPN与PNP一个用于MOS开（kāi）启驱（qū）动（dòng），一个（gè）用于MOS快速关（guān）断。
图一：适合开（kāi）关（guān）频率不高的场（chǎng）合，一般低于2KHz。

其中R1=10K，R2、R3大小（xiǎo）由V+决定，V+越高，R2、R3越大（dà），以保证电阻及三极管功耗在允许（xǔ）范围，同时保证R2和R3的分压VPP=V+ 减10V，同（tóng）时V+不能大于40V。

补（bǔ）充：图二：适合高频（pín）大功率场合，到达100KHz没（méi）问题，同时可以并（bìng）联多个MOSFET-P管

R2、R3需要满足和图一一样的条件，其（qí）实（shí）就是（shì）图一加了级推（tuī）挽，这样就可（kě）以保证（zhèng）MOSFET管（guǎn）高（gāo）速开关，上面6P小电容（róng）是发射结结电容补偿电容，可以改善三极管高速开关（guān）特性。

另外（wài）：MOSFET的栅极电容较大，在使用（yòng）的（de）时候应该把它当（dāng）成一个容抗负（fù）载（zǎi）来看。

MOS管（guǎn）驱动电路

在使（shǐ）用MOS管设计（jì）开关（guān）电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的（de）导（dǎo）通电阻，最大电（diàn）压等，最大（dà）电流等（děng），也有很多（duō）人仅仅考虑这些（xiē）因素。这样的电路（lù）也许是可（kě）以工（gōng）作的，但并不是优秀的，作为正（zhèng）式的产品设计也是（shì）不允许的。

MOS管（guǎn）导通（tōng）特性（xìng）

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的（de）特性：Vgs大于一（yī）定的值就会（huì）导通，适合用（yòng）于源（yuán）极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可（kě）以了。PMOS的特（tè）性：Vgs小于一定的（de）值就会导（dǎo）通，适合用于源极接VCC时的（de）情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便（biàn）地用作高端驱动，但（dàn）由于导（dǎo）通电阻大，价格贵（guì），替换种类少等原（yuán）因，在（zài）高端（duān）驱动（dòng）中（zhōng），通常还是使用NMOS。

MOS开关管损失

MOS管驱动电（diàn）路不管是NMOS还是PMOS，导通（tōng）后（hòu）都（dōu）有导通（tōng）电阻存在，这样电流就（jiù）会（huì）在这个电阻（zǔ）上消耗能量，这部分消耗的能（néng）量叫做导通损耗。选择导通（tōng）电阻小的MOS管会减小导通（tōng）损耗。现（xiàn）在的小（xiǎo）功率MOS管导通电（diàn）阻一般在几（jǐ）十毫欧左右，几毫（háo）欧的也有。

MOS在导通和截止的时（shí）候，一定不（bú）是在（zài）瞬间（jiān）完成的。MOS两端的电压有一个下（xià）降（jiàng）的（de）过程，流过的电流有一个上（shàng）升（shēng）的过程，在这（zhè）段时（shí）间内，MOS管（guǎn）的损失（shī）是电压和电流（liú）的乘（chéng）积，叫做（zuò）开关损失。通常开（kāi）关损失比导通损失大得多，而且开关频率（lǜ）越快，损失也越大。

导通（tōng）瞬间电（diàn）压和（hé）电（diàn）流的乘积很大（dà），造成的损失也就很大。缩短开关时间，可（kě）以减（jiǎn）小每（měi）次导通时的损失;降（jiàng）低开关频率（lǜ），可以减小（xiǎo）单位时间内的（de）开关次数。这两（liǎng）种办法都可以减小开关损失。

MOS管驱动

跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需（xū）要电流，只（zhī）要GS电（diàn）压高（gāo）于一定的值（zhí），就可以（yǐ）了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。在MOS管的（de）结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生（shēng）电容，而MOS管的驱动（dòng），实（shí）际上就是对（duì）电（diàn）容的充放电。对（duì）电容的充电需要一个电流，因（yīn）为对电（diàn）容充电瞬（shùn）间可以把电容看成短路，所以瞬（shùn）间电流会比较（jiào）大（dà）。选择/设计MOS管（guǎn）驱动时第一要注意的（de）是（shì）可提供（gòng）瞬（shùn）间短路电流的大小（xiǎo）。

MOS管（guǎn）驱动电路第（dì）二注意的是，普遍用于高端驱动（dòng）的NMOS，导（dǎo）通时需要是（shì）栅极电压（yā）大于源极电压。而高（gāo）端驱动的（de）MOS管（guǎn）导通时源极电（diàn）压（yā）与漏（lòu）极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个（gè）系统（tǒng）里，要得到比（bǐ）VCC大的电压，就要（yào）专门的（de）升压电路了。很多（duō）马达驱动器都集成了（le）电荷泵，要注意（yì）的是应该 选择合适的外接电容，以得到足（zú）够（gòu）的（de）短路（lù）电流去驱动（dòng）MOS管。

上（shàng）边说的4V或10V是常（cháng）用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有（yǒu）一定的余量（liàng）。而且电压越高，导通速度越快，导（dǎo）通电（diàn）阻也越小。现在（zài）也有导通电压（yā）更小的（de）MOS管用在不同的领域里，但（dàn）在12V汽车电（diàn）子系统里，一般4V导通就够用了（le）。MOS管的驱动电路及其损（sǔn）失（shī），可以参（cān）考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲述（shù）得很（hěn）详细，所以不打算（suàn）多写了。

MOS管应用电（diàn）路（lù）

MOS管最显著的特（tè）性是开关特性好，所以（yǐ）被广泛应用在需要电子开关的电（diàn）路中，常见的（de）如开关电源（yuán）和马达（dá）驱（qū）动，也有照明（míng）调（diào）光。

二、现在的（de）MOS驱动，有几（jǐ）个特（tè）别（bié）的应用：

1、低压应用当使用（yòng）5V电源，由（yóu）于三（sān）极（jí）管的be有（yǒu）0.7V左右的压降，导致实际最终加（jiā）在gate上的电（diàn）压只（zhī）有（yǒu）4.3V。这时候，我（wǒ）们（men）选（xuǎn）用标称gate电压4.5V的MOS管就存（cún）在一（yī）定的风险。同样的（de）问（wèn）题也发生在使用3V或者其他低（dī）压电源的场合（hé）。

2、宽电（diàn）压应用输入电压并不是一（yī）个固定值，它会随着（zhe）时间或者（zhě）其他因素（sù）而变（biàn）动。这个变动导致（zhì）PWM电路提供给MOS管的驱（qū）动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安（ān）全，很多MOS管内置了（le）稳压管强行限制gate电压的幅值。在（zài）这种情况（kuàng）下，当提供（gòng）的（de）驱动电压超过稳压管的（de）电压，就会引起较大的静（jìng）态功（gōng）耗。同时，如（rú）果简单的（de）用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压（yā）比较（jiào）高的时候（hòu），MOS管工作（zuò）良好，而（ér）输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。

3、双（shuāng）电压应（yīng）用在一些控制电路中，逻辑部分（fèn）使用典型的5V或（huò）者3.3V数字电压，而功率部（bù）分使用（yòng）12V甚至更高（gāo）的电（diàn）压。两个电压采用共地方式（shì）连（lián）接。MOS管驱动电路。这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低（dī）压侧能（néng）够有（yǒu）效（xiào）的（de）控制（zhì）高压侧的MOS管，同时高压侧的（de）MOS管也同样会面对（duì）1和2中提（tí）到（dào）的问题。